Samsung96層3D NAND顆粒投產 號稱產能提升30%
2018年07月12日07:32

  隨著閃存市場價格逐漸穩定下來,人們的期待也開始從“不漲”慢慢往“降價”上轉移;而想要價格降下來,那就一定要依靠技術和生產工藝的提升。Samsung日前已開始量產它們的第五代3D NAND閃存顆粒,層疊層數從64層加厚至96層,進一步提升存儲密度的同時而不影響耐久和可靠性,更重要的是產能也能得到30%的提升。

  Samsung的第五代V-NAND技術在性能方面其實也有不小的改進,它採用的Toggle DDR 4.0接口運行速率已經從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps,同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V,可以抵消掉接口提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降,其讀取延遲已壓縮到50微秒,寫入延遲降低30%達到500微秒。

  關於這一代3D NAND的製程技術改進細節Samsung並沒有透露多少,目前可知的是每個存儲層的厚度已經削薄了20%,以及文首處提及的30%產能提升。Samsung首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC,是消費市場和手機存儲里常見的規格,對它來說優先考慮需求量大的市場是必然的選擇,至於供應服務器和數據中心SSD的1Tb QLC NAND之後再說。

  對我們這群普通消費者來講,期待這批新顆粒應該就是Samsung下一代SSD產品的事情了。

  本文來自愛活網

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